型号 IRFBC20STRLPBF
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
IRFBC20STRLPBF PDF
代理商 IRFBC20STRLPBF
标准包装 800
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 4.4 欧姆 @ 1.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 18nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 350pF @ 25V
功率 - 最大 3.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 带卷 (TR)
同类型PDF
IRFBC20STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
IRFBC30 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
IRFBC30A Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
IRFBC30AL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
IRFBC30ALPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
IRFBC30APBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
IRFBC30AS Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30ASPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30ASTRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30ASTRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30ASTRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30ASTRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
IRFBC30LPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
IRFBC30PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
IRFBC30S Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30SPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30STRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
IRFBC30STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK